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J-GLOBAL ID：201702252091505255   整理番号：17A0475802

X線吸収分光法による超硬半導体ほう素subphosphide B_12P_2における欠陥集団の検出【Powered by NICT】

Detection of defect populations in superhard semiconductor boron subphosphide B₁₂P₂ through X-ray absorption spectroscopy

著者 (8件)： Huber S. P. (Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA. [e-mail]) ,  Gullikson E. ,  Meyer-Ilse J. ,  Frye C. D. ,  Edgar J. H. ,  van de Kruijs R. W. E. ,  Bijkerk F. ,  Prendergast D.
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 12  ページ： 5737-5749  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の理論的研究は,超硬半導体亜りん化ほう素(B_12P_2)の「自己修復」の実験的に観測された特性を仲介した欠陥の再結合過程を通して起こるということを初めて示した。提案した機構の実験的検証はB_12P_2で存在できることを種々の欠陥集団間の検出と識別できる方法を必要とする。X線近吸収端分光法(XANES)は,このような方法であり,本研究では,結晶品質を変化させたB_12P_2試料の実験的に集めたスペクトルを提示した。密度汎関数理論の枠組みで第一原理からの潜在的結晶学的点欠陥のX線分光学的特徴をシミュレートすることによって,欠陥集団の存在は,分光学的フィンガープリントを介して決定することができる。著者らの結果は,より低温で堆積した試料中のりん空格子点欠陥の存在の増加傾向が研究した全ての試料中のホウ素空格子点の匹敵する集団の証拠を見出せなかった。大量ホウ素空格子点の欠如はB_12P_2の「自己修復」特性と一致している。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *X線 ,  *半導体 ,  吸収端 ,  低温 ,  密度汎関数法 ,  X線分光法 ,  XANES ,  *ホウ素 ,  第一原理 ,  再結合 ,  *X線吸収分光法 ,  点欠陥
準シソーラス用語： 分光学 ,  結晶品質 ,  自己修復 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： X線吸収分光法 ,  ほう素 ,  欠陥 ,  集団