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J-GLOBAL ID：201702252520009237   整理番号：17A0214258

ガスセンシングとしきい値制御のためのグラフェンゲートトランジスタ【Powered by NICT】

Graphene-gate transistors for gas sensing and threshold control

著者 (10件)： Harada N. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Hayashi K. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Kataoka M. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Yamaguchi J. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Ohtomo M. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Ohfuchi M. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Soga I. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Kondo D. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Iwai T. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Sato S. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 18.2.1-18.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンはnチャネルシリコントランジスタのゲート電極として用いた。グラフェンゲートは露出し,グラフェン表面に吸着気体分子と,グラフェンの仕事関数はガス種と濃度に依存して変化する,シリコントランジスタのしきい値を変化させる。この新規グラフェンゲートセンサは,従来の抵抗率ベースグラフェンガスセンサのそれよりも1桁以上高い感度を示し,7ppb NO_2の検出も容易である。いくつかのガスの選択性も存在する。グラフェンゲートの仕事関数はグラフェン上の適切なドーピング材料を析出させ,サブしきい値特性を劣化させずに620mVまでによるしきい値を意図的に変えることによって制御することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  吸着ガス ,  仕事関数 ,  *グラフェン ,  サブ閾値
準シソーラス用語： ゲート電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (1件)： しきい値