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J-GLOBAL ID：201702252546952464   整理番号：17A0214267

等電子トラップ技術に基づくI_on増強による相補TFET回路の性能の改善【Powered by NICT】

Demonstrating performance improvement of complementary TFET circuits by I_on enhancement based on isoelectronic trap technology

著者 (12件)： Mori T. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Asai H. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Hattori J. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Fukuda K. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Otsuka S. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Morita Y. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  O’uchi S. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Fuketa H. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Migita S. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Mizubayashi W. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Ota H. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Matsukawa T. (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 19.4.1-19.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 等電子トラップ(IET)技術を用いてSiベーストンネル電界効果トランジスタ(TFET)を含む相補回路の性能を改善した。IET技術はP TFETとN TFETの2倍5倍オン電流(I_ON)を増加することが分かった。イオン増強はインバータ性能を改善した。さらに,リング発振器(RO)回路動作相補的TFETインバータを初めて実験的に実証した。IET TFETとRO回路は従来のTFETのそれよりも高い動作周波数を示した。IET技術はSi TFETを持つ相補型回路を実現へのブレークスルーを提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオン ,  リング発振器 ,  *相補回路 ,  電流 ,  動作周波数
準シソーラス用語： *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 等電子トラップ ,  増強 ,  TFET