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J-GLOBAL ID:201702252918695841   整理番号:17A0756212

耐久性変化を伴う相変化メモリの寿命とセキュリティの向上【Powered by NICT】

Increasing Lifetime and Security of Phase-Change Memory with Endurance Variation
著者 (6件):
資料名:
巻: 2016  号: ICPADS  ページ: 861-868  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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相変化メモリ(PCM)は,将来の主記憶システムを構築するための有望な候補として出現した。しかし,限られた書き込み耐久性は実際に利用できるPCMの主要な障害の一つである。伝統的ウェアレベリング法は一般のアプリケーションと悪意ある攻撃の両方で書込みトラヒックをバランスさせるPCM寿命を向上させるために均一にすることを試みた。しかし,均一な書込み分布はより低い摩耗に最も弱いセルにつながるので,これらの技術はPCMチップの持久力変化を考慮し,重篤な寿命劣化を引き起こすことができない。本論文では,耐久性分布に従って安全な方法で摩耗速度(すなわち,書込みトラヒック/耐久性)のバランスをとるために重量ベース代数的ウェアレベリング(WAWL)方式を提案した。WAWLでは,全メモリ空間は複数の領域に分割した。地域に書き込みの数がしきい値(すなわち,交換間隔)に達すると,領域はランダムに選ばれた領域と交換した。WAWLの背後にある基本的なアイデアは,交換間隔と各領域の選択確率は多様であり,領域の耐久性計量を持つ関連したことである。適切な交換間隔と選択確率を設置することにより,WAWLは検出できない方法で全メモリにわたって均一な摩耗分布を達成した。添加では,空間消費を低減し,領域交換中の性能低下を軽減するために,著者らは候補領域の一つずつ線を移動する細粒交換方式を提案した。様々な攻撃により駆動される実験的評価はWAWLはPCM寿命をかなり増加させ,僅かな性能低下で手頃な価格のハードウェアオーバヘッドで安全性を改善することを示す。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (3件):
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