文献

J-GLOBAL ID：201702253090324193   整理番号：17A0204253

急激なサブしきい値スイングを持つ垂直二重ソーストンネルFET【Powered by NICT】

Vertical-dual-source tunnel FETs with steeper subthreshold swing

著者 (5件)： Jiang Zhi (School of Microelectronic, Xidian University) ,  Zhuang Yiqi (School of Microelectronic, Xidian University) ,  Li Cong (School of Microelectronic, Xidian University) ,  Wang Ping (School of Microelectronic, Xidian University) ,  Liu Yuqi (School of Microelectronic, Xidian University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 9  ページ： 094003-1-094003-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 駆動電流及びサブしきい値スイング(SS)を改善するために,新しい垂直デュアルソーストンネル電界効果トランジスタ(VDSTFET)デバイスを提案した。デバイスに及ぼす音源の高さ,チャネル長とチャネル厚みの影響を二次元数値シミュレーションにより調べた。Si VDSTFETはより大きなトンネル面積と薄いチャネルを持ち,0.8Vのゲート電圧とドレイン電圧0.5Vで1.24μA,0.1fAのオフ電流,14mV/decの改善された平均サブ閾値スイング,及び4mV/decの最小点勾配として高いオン電流を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *チャネル ,  電圧 ,  二次元 ,  音源
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  オフ電流 ,  ゲート電圧 ,  数値シミュレーション ,  チャネル長 ,  駆動電流 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二重源領域とU形状ゲートトンネル電界効果トランジスタ ,  サブしきい値スイング ,  バンドtobandトンネリング ,  オン状態電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブしきい値 ,  スイング ,  垂直 ,  ソース ,  トンネルFET