文献

J-GLOBAL ID：201702253103106349   整理番号：17A0204747

相変化メモリ材料研究【JST・京大機械翻訳】

Study of phase change materials for phase change random access memory

著者 (5件)： Wu Liangcai (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Song Zhitang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhou Xilin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Rao Feng (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Feng Songlin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 46  号： 10  ページ： 107309-1-107309-9  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 次世代の最も競争力がある新型の貯蔵技術の一つとして、相変化貯蔵技術は最近十数年以来、飛躍的な発展が得られ、関連製品はすでに登場し、量産されている。相変化貯蔵技術自体の発展に伴い、それに関する基礎研究も近年の情報、材料などの関連分野における研究の焦点である。カルコゲン化合物の相変化貯蔵媒体は,相変化メモリの基礎とコアであり,相変化材料の性能は,相変化メモリの性能を決定する。本論文では、相変化メモリの産業化動態を簡単に紹介し、常用相の相変化材料及びそのメカニズムの主な理論的研究結果を総括し、従来のGESBTE相変化材料のCドーピング改質及びその相転移メカニズムを分析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *相転移 ,  工業化 ,  酸素族元素 ,  記憶媒体
準シソーラス用語： 相変化材料 ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： phase change memory ,  GeSbTe ,  phase change mechanism ,  C doping

分類 (3件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  固相転移  (BL04020G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化 ,  メモリ材料 ,  研究