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J-GLOBAL ID：201702253118980671   整理番号：17A0289842

マスクアブソーバの厚さ調整によるUDOF直接改良

UDOF direct improvement by modulating mask absorber thickness

著者 (8件)： YU Tuan-Yen (United Microelectronics Corp.(UMC), Tainan, TWN) ,  LIO En Chuan (United Microelectronics Corp.(UMC), Tainan, TWN) ,  CHEN Po Tsang (United Microelectronics Corp.(UMC), Tainan, TWN) ,  WEI Chih I (United Microelectronics Corp.(UMC), Tainan, TWN) ,  CHEN Yi Ting (United Microelectronics Corp.(UMC), Tainan, TWN) ,  PENG Ming Chun (United Microelectronics Corp.(UMC), Tainan, TWN) ,  CHOU William (United Microelectronics Corp.(UMC), Tainan, TWN) ,  YU Chun Chi (United Microelectronics Corp.(UMC), Tainan, TWN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9985  ページ： 99850Y.1-99850Y.9  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マスクやレジストの3D効果は,個々の焦点深度(iDOF)範囲の減少と中心のミスマッチによりリソグラフィー焦点に影響を与える。さらに,現像後ベーク(PEB)などの科学的,熱的因子で使用される焦点深度(uDOF)性能を悪化させる。この論文では,光学的および化学的に誘起された3D効果の影響を減少し,iDOFの中心ミスマッチを改良するために,マスクアブソーバの厚さオフセット法を提案する。この方法は,マスクアブソーバの厚さを調整することにより,iDOF中心バイアスを直接補正する。実験結果によると,減衰位相シフトマスク(Att-PSM)の残留クロム層により誘起される焦点オフセットが見いだされ,つまりアブソーバ厚バイアスは異なった化学材料とパターンレイアウトで変化する。一方,厚いアブソーバM3Dにより生じるiDOF範囲の異なった縮小が観測された。

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *焦点深度 ,  *マスク ,  レジスト ,  三次元 ,  *厚み ,  *オフセット ,  バイアス ,  補正 ,  *吸収体
準シソーラス用語： アブソーバ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： マスク ,  アブソーバ