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J-GLOBAL ID：201702253151932366   整理番号：17A0375011

前処理Al_2O_3(0001)表面上の自己集合GaNナノワイヤの界面特性【Powered by NICT】

Interfacial properties of self-assembled GaN nanowires on pre-processed Al₂O₃(0001) surfaces

著者 (8件)： Koukoula T. (Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece) ,  Kioseoglou J. (Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece) ,  Kehagias Th. (Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece) ,  Furtmayr F. (Walter Schottky Institute, Technical University of Munich, D-85748 Garching, Germany) ,  Eickhoff M. (Institute of Experimental Physics I, Justus-Liebig-University Giessen, D-35392 Giessen, Germany) ,  Kirmse H. (Institute of Physics, Humboldt University of Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany) ,  Karakostas Th. (Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece) ,  Komninou Ph. (Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55  ページ： 46-50  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異質基板の表面処理はナノワイヤ,それらの結晶品質,それらの直径と面積密度のヘテロエピタキシャル無触媒成長に影響する重要な因子である。この目的のために,プラズマ支援分子ビームエピタクシーによりAl_2O_3(0001)上のGaNナノワイヤの無触媒成長は,基板表面処理を用いて達成した:(a)窒化Al_2O_3表面にSi_xN_y層の堆積,および(b)裸Al_2O_3表面上のSiの蒸着。GaNナノワイヤとGaN_2O_3界面のナノ構造を定量的高分解能透過型電子顕微鏡及び関連分析法により調べた。GaNナノワイヤの自発的成長は非晶質Si_xN_y層上に実現したが,Al_2O_3と接触した不連続結晶領域は部分的に歪んだAlNとして同定した。続いて,GaNナノワイヤを,無応力Si島のAl_2O_3の頂部上に直接成長させた。基板とこれらの島の方位関係は,[112](1 1 1)Si∥[11 00](0001)Al_2O_3,二構造間の最小格子不整合を提供した。Si堆積時間の増加はより高い密度Si島のを実現し,低密度と良好な構造品質の非合体したナノワイヤをもたらした。Si島状構造の存在は,ナノワイヤの制御された無触媒成長のために利用できるGaNナノワイヤの核形成に及ぼす仮面様効果を誘導した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  ナノ構造 ,  *アルミニウム ,  ケイ素 ,  *自己集合 ,  窒化アルミニウム ,  島状構造 ,  アモルファスシリコン ,  MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  格子不整合 ,  *界面 ,  *前処理 ,  核形成
準シソーラス用語： HRTEM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 高分解能透過電子顕微鏡(HRTEM) ,  定量的HRTEM解析 ,  幾何学的位相解析 ,  サファイア基板 ,  GaNナノワイヤ ,  無触媒成長

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己集合 ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  界面特性