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J-GLOBAL ID：201702253163958343   整理番号：17A0375108

パルスレーザ蒸着法で作製したビスマスカルコゲン化物薄膜のキャラクタリゼーションと光学的性質【Powered by NICT】

Characterization and optical properties of bismuth chalcogenide films prepared by pulsed laser deposition technique

著者 (6件)： Adam A.M. (Physics Department, University of Chemical Technology and Metallurgy, Sofia, Bulgaria) ,  Adam A.M. (Physics Department, Faculty of Science, Sohag University, Egypt) ,  Adam A.M. (College of novel materials and nanotechnology, National University of Science and Technology MISiS, 119049, Moscow, Leninsky Prospekt, 4, Russia) ,  Lilov E. (Physics Department, University of Chemical Technology and Metallurgy, Sofia, Bulgaria) ,  Lilova V. (Physics Department, University of Chemical Technology and Metallurgy, Sofia, Bulgaria) ,  Petkov P. (Physics Department, University of Chemical Technology and Metallurgy, Sofia, Bulgaria)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 57  ページ： 210-219  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi系カルコゲン化物の薄膜を化学量論式に従ったパルスレーザ蒸着(PLD)法により作製した:Bi_2(Se_1 xTe_x)3。それらの光学特性は,応用の適切な面積と調べた試料の中で最適な組成を見出すことを目指して研究した。X線回折分析は,蒸着した試料の結晶化度を証明した;加えて,原子間力顕微鏡(A FM)関係する合金の均一で滑らかな膜を調製するためにPLD法の適合性を確認することにより研究した表面粗さと膜均一性。吸収係数計算は,それぞれBi_2(Se_1 xTe_x)3系におけるTe含有量90%及び100%の5×10~5と6×10~5cm~ 1の高い吸収値を示した。当膜の光学バンドギャップを計算し,0.76 1 11eVの範囲にあることを見出し,他の著者によって以前に報告されたと同程度の値を示した。光学的研究は全ての膜で直接および許容遷移を確認した。屈折率(n)と誘電定数(E_r)と(E_i)を計算し,波長の関数として研究した。(n),(E_r)と(E_i)の値と挙動は,組成と波長範囲に強い依存性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  屈折率 ,  結晶度 ,  *ビスマス ,  吸収係数 ,  誘電率 ,  原子間力顕微鏡 ,  *カルコゲン化物 ,  光学ギャップ ,  化学量論 ,  波長 ,  許容遷移 ,  X線回折分析 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  適応性

著者キーワード (3件)： Chalcogenides ,  薄膜 ,  光学特性

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ蒸着 ,  作製 ,  ビスマス ,  カルコゲン化物 ,  薄膜 ,  キャラクタリゼーション ,  光学的性質