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J-GLOBAL ID：201702253200356663   整理番号：17A0730005

SI基板の垂直構造のGANベースLEDの光吸収効率を増強した。【JST・京大機械翻訳】

Improvement for Extraction Efficiency of Vertical GaN-Based LED on Si Substrate by Photo-Enhanced Wet Etching

著者 (4件)： Zhou Yinhua (Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices, Ministry of Education,Nanchang University) ,  Tang Yingwen (Nanchang University) ,  Rao Jianping (Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices, Ministry of Education,Nanchang University) ,  Jiang Fengyi (Nanchang University)
資料名： Guangxue Xuebao  (Guangxue Xuebao)
巻： 29  号： 1  ページ： 252-255  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2088A  ISSN： 0253-2239  CODEN： GUXUDC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 0.1M_2S_2O_8+KOHとキセノンランプをそれぞれ剤と紫外線光源とし、光増強ウェットエッチング基質の垂直構造GANベースLEDのN型GANを用いて、N面に電極と電極を持たないチップのN型GAN層をエッチングした。結果は,同じエッチング条件の下で,N型GANの電着速度が電極のないN型GANのものより大きいことを示した。しかし,それらの二乗平均平方根粗さ(RMS)は逆の結果であった。エッチングの後の形態は,20MAのエッチングの後に,88.5%の高出力を示し,そしてそれは,エッチング前のそれと比較して,88.5%増加した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面粗さ ,  光源 ,  エッチング ,  *光吸収 ,  ウェットエッチング ,  電着 ,  キセノンランプ ,  基質 ,  実効値 ,  紫外線 ,  電極
準シソーラス用語： 高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： optical materials ,  extraction efficiency ,  photo-enhanced wet etching ,  vertical GaN-based light emitting diodes ,  Si substrate

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  垂直 ,  GaN ,  LED ,  吸収効率 ,  増強