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J-GLOBAL ID：201702253564277856   整理番号：17A0118310

Raman顕微分光法を用いた半導体製造における直接光学応力センシング【Powered by NICT】

Direct optical stress sensing in semiconductor manufacturing using Raman micro-spectrometry

著者 (7件)： De Biasio M. (Carinthian Tech Research AG, Europastras&e 12, 9500 Villach) ,  Kraft M. (Carinthian Tech Research AG, Europastras&e 12, 9500 Villach) ,  Roesner M. (Infineon Technologies Austria AG, Siemensstras&e 2, 9500 Villach, Austria) ,  Bergmann C. (Infineon Technologies Austria AG, Siemensstras&e 2, 9500 Villach, Austria) ,  Cerezuela-Barreto M. (Fraunhofer IISB, Schottkystras&e 10, 91058 Erlangen, Germany) ,  Lewke D. (Fraunhofer IISB, Schottkystras&e 10, 91058 Erlangen, Germany) ,  Schellenberger M. (Fraunhofer IISB, Schottkystras&e 10, 91058 Erlangen, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイシングにより導入された,半導体デバイスにおける局所機械的応力は重要な製造関心事である。Raman分光法は,シリコン中の応力を直接測定,非破壊的,定量的にできる。ここでは,Raman分光法を用いて,機械的およびレーザダイシングにより形成された金型側壁に沿った応力を解析し,マイクロラマン分光法は,製造中のシリコンダイ側壁における応力測定のための実行可能な検出方法であることを実証した。レーザダイシングは機械的ダイシング(典型的には170MPa c.f.70MPa)により誘導されるそれらよりも有意に低いことを応力を導入することを見出した。さらに,機械的さいの目に切ったチップのためのシリコンの異なる分裂中期が見出された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 検出法 ,  Raman分光法 ,  ケイ素 ,  半導体素子 ,  応力測定 ,  *顕微Raman分光法
準シソーラス用語： 直接測定 ,  機械的ストレス ,  ダイシング ,  *半導体製造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Raman顕微分光法 ,  半導体製造 ,  光学 ,  応力 ,  センシング