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J-GLOBAL ID：201702254266218901   整理番号：17A0181083

電子ビーム誘起電流と時間分解光ルミネセンスによるIn(Ga)As/InAsSbタイプII超格子の拡散特性【Powered by NICT】

Diffusion characterization of In(Ga)As/InAsSb type-II superlattices via electron beam induced current and time-resolved photoluminescence

著者 (6件)： Yoon N. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois Urbana Champaign, Urbana IL 61801, USA) ,  Reyner C. J. (Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA) ,  Ariyawansa G. (Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA) ,  Scheihing J. E. (Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA) ,  Mabon J. (Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801) ,  Wasserman D. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois Urbana Champaign, Urbana IL 61801, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IPC  ページ： 470-471  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビーム誘起電流および時間分解光ルミネセンス測定を用いてIn(Ga)As/InAsSbタイプII超格子の少数キャリア拡散長,少数キャリア寿命,拡散率,表面再結合速度と移動度の温度依存特性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 少数キャリア ,  移動度 ,  *電流 ,  拡散距離 ,  温度依存性 ,  拡散係数 ,  *超格子 ,  *電子ビーム
準シソーラス用語： 表面再結合速度 ,  *時間分解光ルミネセンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子ビーム ,  誘起 ,  時間分解光ルミネセンス ,  Ga ,  InAsSb ,  タイプ ,  超格子 ,  拡散