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J-GLOBAL ID：201702254405690029   整理番号：17A0329085

電子パッケージにおける完全Cu_3Snはんだ接合のためのプロセスパラメータ,微細構造の発達と破壊挙動の最適化に関する研究【Powered by NICT】

A study on optimization of process parameters, microstructure evolution and fracture behavior for full Cu₃Sn solder joints in electronic packaging

著者 (4件)： Yao Peng (Beijing University of Technology, No. 100 Ping Le Yuan, Chaoyang District, Beijing, PR China) ,  Li Xiaoyan (Beijing University of Technology, No. 100 Ping Le Yuan, Chaoyang District, Beijing, PR China) ,  Liang Xiaobo (Beijing University of Technology, No. 100 Ping Le Yuan, Chaoyang District, Beijing, PR China) ,  Yu Bo (Beijing University of Technology, No. 100 Ping Le Yuan, Chaoyang District, Beijing, PR China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 135-140  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全IMCはんだ継手を包括的に理解するために,広く使用されているCu-Sn系を研究対象として採用した。電子パッケージングにおける完全Cu_3Snはんだ接合のためのプロセスパラメータ,ミクロ組織の変化と破壊挙動の最適化に関する研究を系統的に行った。完全Cu_3Snはんだ接合を形成するために,260°C,1N,5hは最適パラメータの組合せとして決定した。260°Cと1Nで,平面Cu_6Sn_5は最初にCu-Sn界面,平面Cu_3Snの形成が続いたで沈殿した。残留Snの全消費まで,Cu_6Sn_5は平面形状からの遷移で成長したスカーラップ様形状への継続したが,一方,Cu_3Snは平面形状波状形状から往復変化で成長し続けた。Cu_3SnとCu_6Sn_5を含む全IMCはんだ接合の形成後,完全Cu_3Snはんだ接合は300分で得られたまでCu_3SnはCu_6Sn_5を犠牲にして成長し続けた。負荷速度は,それぞれ0.001mm/s,0.01mm/sと0.1mm/sであった場合,完全Cu_3Snはんだ継手のせん断強さは46.1MPa,50MPa及び60.5MPaであった。破面の解析により,載荷速度を変化させた場合,異なる微視的破壊機構は完全Cu_3Snはんだ接合の異なる強度をもたらすことを見出した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 剪断強さ ,  *最適化 ,  *プロセスパラメータ ,  破面 ,  載荷速度 ,  界面 ,  *はんだ付
準シソーラス用語： 破壊機構 ,  負荷速度 ,  波状 ,  スカラップ ,  最適パラメータ ,  はんだ継手 ,  *破壊挙動 ,  *電子部品実装 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 接続部品  (NA05050Z) ,  ろう付  (WC07050C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子パッケージ ,  はんだ接合 ,  プロセスパラメータ ,  微細構造 ,  発達 ,  破壊挙動 ,  最適化 ,  研究