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J-GLOBAL ID：201702254579258446   整理番号：17A0402956

(GaMn)Sb薄膜の磁気電気および輸送特性:希薄合金におけるフェリ磁性相【Powered by NICT】

Magnetoelectric and transport properties of (GaMn)Sb thin films: A ferrimagnetic phase in dilute alloys

著者 (3件)： Calderon Jorge A. (Universidad Nacional de Colombia - Bogota, Dpto. de Fisica, Grupo de Materiales Nanoestructurados y sus Aplicaciones, Cra. 30 No. 45-03 Edificio 404 Lab. 121C Ciudad Universitaria, Bogota, Colombia) ,  Mesa F. (Grupo NanoTech, Facultad de Ciencias Naturales y Matematicas, Universidad del Rosario, Cra. 24 No. 63C-69, Bogota, Colombia) ,  Dussan A. (Universidad Nacional de Colombia - Bogota, Dpto. de Fisica, Grupo de Materiales Nanoestructurados y sus Aplicaciones, Cra. 30 No. 45-03 Edificio 404 Lab. 121C Ciudad Universitaria, Bogota, Colombia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 1113-1118  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直流マグネトロン同時スパッタリング法で作製した(GaMn)Sb薄膜の電気,磁気,および輸送特性を研究した。X線粉末回折測定を用いて,膜内のフェリ磁性(Mn_2Sb)と強磁性(Mn_2Sb_2)相の存在を確認した。も膜の磁化対印加磁場と同様に室温でのヒステリシス曲線を測定した。van der Pauw法を用いて温度依存抵抗率測定により膜の電気的および輸送特性を決定した。輸送過程への主な寄与は,可変領域ホッピングであった。ホッピングパラメータは,パーコレーション理論を用いて計算し,拡散モデルを用いて精密化した。添加では,全ての試料はp型半導体挙動を示したことは,Fermi準位近傍の局在化状態の密度の増加は,2元系磁性相は電気的性質と輸送機構に影響することを決定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  直流 ,  強磁性 ,  *希薄合金 ,  精密化 ,  温度依存性 ,  *フェリ磁性 ,  Fermi準位 ,  電気抵抗率 ,  *磁気
準シソーラス用語： *磁性相 ,  可変領域ホッピング ,  印加磁場 ,  粉末X線回折 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フェリ磁性 ,  薄膜 ,  スピントロニクス ,  電気輸送 ,  拡散モデル

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Sb ,  薄膜 ,  磁気 ,  輸送特性 ,  希薄合金 ,  フェリ磁性