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J-GLOBAL ID：201702254700703787   整理番号：17A0276647

GNR MOSFETのゲート誘電体に依存する性能:タイトバインディング研究【Powered by NICT】

Gate dielectric dependent performance of GNR MOSFET: A tight binding study

著者 (5件)： Sarker Md. Shamim (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, 9203, Bangladesh) ,  Sabbik Al-Mohtashim (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, 9203, Bangladesh) ,  Islam Muhammad Mainul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, 9203, Bangladesh) ,  Alam Md. Nur Kutubul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, 9203, Bangladesh) ,  Islam Md. Rafiqul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, 9203, Bangladesh)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICECE  ページ： 403-406  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート酸化物誘電体強度とグラフェンナノリボンMOSFET(GNRMOSFET)の厚さに依存した性能を示した。は密着結合骨格における非平衡グリーン関数(NEGF)形式を用いたデバイスの伝達特性,オン/オフ電流(I_ON/I_OFF)比,サブスレッショルド勾配,およびドレイン誘起障壁低下(DIBL)を研究した。結果はNanoTCAD ViDES環境における自己無撞着NEGFとPoisson方程式を解くことにより得られ,酸化物の厚さとその絶縁耐力への強い依存性を持つことが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁耐力 ,  *誘電体 ,  Poisson方程式 ,  *MOSFET ,  酸化物 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： DIBL ,  オフ電流 ,  伝達特性 ,  非平衡Green関数 ,  グラフェンナノリボン ,  ゲート酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOSFET ,  ゲート誘電体 ,  研究