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J-GLOBAL ID：201702254950909271   整理番号：17A0765922

高純度半絶縁性基板上の4H-SiC MESFETの物理的シミュレーションと実験結果【Powered by NICT】

Physical simulations and experimental results of 4H-SiC MESFETs on high purity semi-insulating substrates

著者 (6件)： Chen Cang (Department of Physics, Nanjing University) ,  Bai Song (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Li Zhe-Yang (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Wu Peng (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Chen Zheng (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Han Pin (Department of Physics, Nanjing University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 10  ページ： 4474-4478  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,DCおよびRFシミュレーションと高純度半絶縁性基板上の4H-SiC金属-半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の実験結果を報告した。DC及び小信号測定をシミュレーションと比較した。デバイスプロセスは,100μmゲート周囲を持ったnチャネルの4H-SiC MESFETを作製するために設計した。30Vドレイン電圧で,最大電流密度は440mA/mmで,最大相互コンダクタンスは33mS/mmである。2GHzの周波数での連続波(CW)では,最大出力密度は6.6mmと測定され,12dBの利得と電力付加効率33.7%であった。カットオフ周波数(f_T)と最大周波数(f(max))は,それぞれ9GHzと24.9GHzである。f_Tとf(max)のシミュレーション結果はそれぞれ11.4GHzと38.6GHzである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数 ,  電力付加効率 ,  連続波 ,  *シミュレーション ,  遮断周波数 ,  電流密度 ,  *炭化ケイ素 ,  相互コンダクタンス ,  *MESFET ,  利得 ,  チャネル
準シソーラス用語： 出力密度 ,  *4H-SiC ,  *半絶縁性 ,  *高純度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 4H-SiC ,  MESFET ,  シミュレーション ,  マイクロ波

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高純度 ,  半絶縁性基板 ,  4H-SiC ,  MESFET ,  物理 ,  シミュレーション ,  実験結果