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J-GLOBAL ID:201702254974202631   整理番号:17A0884349

WO_3/TiO_2ヘテロ接合膜における増強された光触媒の光発生電荷移動の証拠と効果:計算および実験的研究【Powered by NICT】

Evidence and Effect of Photogenerated Charge Transfer for Enhanced Photocatalysis in WO3/TiO2 Heterojunction Films: A Computational and Experimental Study
著者 (14件):
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巻: 27  号: 18  ページ: ROMBUNNO.201605413  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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半導体ヘテロ接合は,触媒,センサ,太陽から化学へのエネルギー変換素子を含む広範囲の応用に使用されている。これらの材料は,ヘテロ接合境界を横切る光生成電荷を空間的に分離,再結合過程を抑制し,個々の成分を超えてそれらの性能を向上させる相乗的にできる。本研究では,化学蒸着により成長させたWO_3/TiO_2ヘテロ接合を調べた。TiO_2の共形層で被覆した垂直に整列したナノロッドの高度にナノ構造WO_3層から構成されている。ヘテロ接合は異常な電子移動過程,光生成電子はWO_3層から移動TiO_2にを示した。最新のハイブリッド密度汎関数理論と硬X線光電子分光法を用いて,WO_3/TiO_2界面での電子相互作用を明らかにすることである。過渡吸収分光法を用いて,再結合は実質的に低下し,最も光触媒過程に関連する時間スケールへの光生成電荷の寿命と集団の両方を拡張であることを示した。これは材料の光触媒効率は薄膜のこれまで報告された最高であることを増加させた。計算および実験的方法をallyingで,これは金属酸化物ヘテロ接合系におけるバンド配列を決定するための理想的な方法であると信じられている。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (4件):
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光化学一般  ,  太陽電池  ,  セラミック・陶磁器の製造  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 

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