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J-GLOBAL ID：201702255168599686   整理番号：17A0548977

Siイオンが注入されたソース・ドレインのエンハンスメントモードGa₂O₃・MOSFET

Enhancement-Mode Ga₂O₃ MOSFETs with Si-Ion-Implanted Source and Drain

著者 (5件)： WONG Man Hoi (National Inst. of Information and Communications Technol.) ,  NAKATA Yoshiaki (National Inst. of Information and Communications Technol.) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp.) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp.) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15p-315-14  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *イオン注入 ,  *ソース【半導体】 ,  *ドレイン【半導体】 ,  モード ,  *ゲート【半導体】 ,  *MOSFET ,  *酸化ガリウム ,  電流電圧特性 ,  伝送特性 ,  β相 ,  電気抵抗 ,  酸化アルミニウム ,  ゲート絶縁膜 ,  薄膜コンデンサ ,  容量電圧特性 ,  直列抵抗
準シソーラス用語： エンハンスメントモード ,  MOSキャパシタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Siイオン ,  注入 ,  ソース ,  ドレイン ,  エンハンスメントモード ,  Ga2O3 ,  MOSFET