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J-GLOBAL ID:201702255168599686   整理番号:17A0548977

Siイオンが注入されたソース・ドレインのエンハンスメントモードGa2O3・MOSFET

Enhancement-Mode Ga2O3 MOSFETs with Si-Ion-Implanted Source and Drain
著者 (5件):
資料名:
巻: 64th  ページ: ROMBUNNO.15p-315-14  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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