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J-GLOBAL ID：201702255210099046   整理番号：17A0697157

点欠陥の研究と移動ヒータ法により成長させたInドープCdMnTeの電気的性質【Powered by NICT】

Investigation of point defects and electrical properties of the In-doped CdMnTe grown by traveling heater method

著者 (8件)： Wen Xuliang (School of Materials Science and Engineering Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Zhang Jijun (School of Materials Science and Engineering Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Mao Yifei (School of Materials Science and Engineering Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Min Jiahua (School of Materials Science and Engineering Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Liang Xiaoyan (School of Materials Science and Engineering Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Huang Jian (School of Materials Science and Engineering Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Tang Ke (School of Materials Science and Engineering Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Wang Linjun (School of Materials Science and Engineering Shanghai University, Shanghai 200444, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 79-85  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InをドープしたCd_0 9Mn_0 1Te(CdMnTe:In)結晶を移動ヒータ法により成長させた。CdMnTe:Inインゴットの異なる部分から抽出したCdMnTe:Inウエハの結晶は,不純物含有量,Te包有物とMn組成を含めて調べた。CdMnTe:Inウエハ中の点欠陥は光誘起電流過渡分光法(PICTS)により明らかにした。イオン化エネルギー,捕獲断面積およびインゴットの異なる部分における欠陥トラップの濃度を同定した。PICTS結果はV_Cdの濃度はバルクに沿って尾部に上部から減少したが,A中心の濃度は増加した。バルクの中央部から切り出したウエハに,結晶バルクの他の部分に比べて深準位点欠陥が少ないことが分かった,そして抵抗率3.07×10~10Ωcmまでの高い電子性能とμτ値1.45×10~ 3cm~2V~ 1までであった。深準位点欠陥の濃度は電気的性質に重要な役割を果たし,特に移動度-寿命積。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マンガン ,  *電気的性質 ,  不純物 ,  *点欠陥 ,  移動度 ,  *インジウム ,  *テルル ,  *加熱器 ,  結晶 ,  深い準位 ,  *ドーピング ,  イオン化ポテンシャル ,  インゴット ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 捕獲断面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 点欠陥 ,  研究 ,  ヒータ ,  成長 ,  ドープ ,  電気的性質