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J-GLOBAL ID：201702255331280487   整理番号：17A0210878

{001}配向ニオブ酸鉛マグネシウム-チタン酸鉛薄膜成長のための鉛含有量の制御

Management of Lead Content for Growth of {001}-Oriented Lead Magnesium Niobate-Lead Titanate Thin Films

著者 (4件)： Keech Ryan (Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania, 16802) ,  Shetty Smitha (Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania, 16802) ,  Wang Ke (Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania, 16802) ,  Trolier-McKinstry Susan (Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania, 16802)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 99  号： 4  ページ： 1144-1146  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 配向ペロブスカイトのシード層を有さず,ロットゲーリングファクタ0.98~1.0を有するよう設計された{001}配向ニオブ酸鉛マグネシウム-チタン酸鉛(PMN-PT)薄膜のスケーラブルな成長プロセスを提示した。PMN-PTの化学溶液堆積に先立つ{111}Pt薄膜底部電極上への厚さ2~3nmのPbOバッファ層の堆積は,PMN-PTから下部電極へのPb拡散の駆動力を減少させ,{001}配向ペロブスカイト粒子の核生成を促進した。エネルギー分散分光法により,PMN-PT前駆体溶液から,Pb10%までが下部電極中に拡散することが示された。Pb欠乏パイロクロア相のマトリックス中に{101}/{111}混合配向を有するPMN-PT粒子の成長が,界面付近で促進された。これが防止されると,{001}方位相の純粋な膜を得ることができた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ニオブ酸塩 ,  *マグネシウム化合物 ,  *鉛化合物 ,  *チタン酸鉛 ,  *配向 ,  *薄膜 ,  鉛 ,  含有量 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  白金電極 ,  酸化鉛 ,  電極 ,  スペクトロスコピー ,  強誘電体 ,  *圧電素子 ,  X線回折
準シソーラス用語： *PMN【化合物】 ,  *PT【セラミック】 ,  エネルギー分散分光法 ,  ピエゾ素子 ,  ロットゲーリングファクタ ,  化学溶液堆積法 ,  過剰ドーピング

分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 配向 ,  ニオブ酸鉛マグネシウム ,  チタン酸鉛 ,  薄膜成長 ,  鉛 ,  含有量