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J-GLOBAL ID：201702255731698252   整理番号：17A0825956

高k/金属ゲートスタックにおける双極子大きさ誘導Vtシフトに及ぼすLaとAl添加物の役割の定量的解析【Powered by NICT】

Quantitative Analysis of La and Al Additives Role on Dipole Magnitude Inducing Vt Shift in High-K/Metal Gate Stack

著者 (4件)： Suarez-Segovia C. (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Leroux C. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Grenoble, France) ,  Domengie F. (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Ghibaudo G. (IMEP-LAHC, MINATEC Campus, Grenoble, France)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 3  ページ： 379-382  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k/金属ゲートスタックにおけるLaまたはAlの取り込み後の電気双極子層により誘起された電圧降下は,公称と傾斜SiO_xデバイスで測定し,直線的に効果的なLa/Al線量に相関X線蛍光分光法により測定された高いk/SiO_ スタックした。電気双極子が効果的なLaとAl添加量の各1×10~14at/cm~2で約 55とmeVであると実験的に評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 蛍光分光法 ,  *アルミニウム ,  電圧降下 ,  *添加剤 ,  放射線量 ,  *双極子 ,  *定量的分析 ,  X線 ,  *ランタン ,  電気双極子
準シソーラス用語： 添加量 ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (12件)： 金属ゲート ,  スタック ,  双極子 ,  大きさ ,  誘導 ,  VT ,  シフト ,  La ,  Al ,  添加物 ,  役割 ,  定量的解析