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J-GLOBAL ID：201702255734704417   整理番号：17A0167710

CCD多結晶イオン注入のドーピング技術に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Research on CCD Poly-silicon Ion Implantation Doping

著者 (4件)： Zeng Qinggao (Chongqing Optoelectronics Research Institute) ,  Zhong Yujie (Chongqing Optoelectronics Research Institute) ,  Jiang Haibo (Chongqing Optoelectronics Research Institute) ,  Li Ruizhi (Chongqing Optoelectronics Research Institute)
資料名： Bandaoti Guangdian  (Bandaoti Guangdian)
巻： 37  号： 5  ページ： 680-684  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2379A  ISSN： 1001-5868  CODEN： BAGUE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,多結晶シリコンの拡散ドーピングによるイオン注入の技術を研究し,二つのドーピング方法によるCCDゲート誘電体の損傷,多結晶シリコンの接触抵抗及び均一性などのキーパラメータの影響を比較し,イオン注入により作製した多結晶シリコン薄膜が拡散ドーピングよりも優れていることを示した。これはCCDの出力均一性の向上に有利である。2つの多結晶シリコンドープ法のプロセス統合条件を比較すると、多結晶シリコンのドーピングはイオン注入方式を採用し、プロセスがより簡単で、プロセスの集積度がより高い。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *多結晶 ,  接触抵抗 ,  *イオン注入 ,  ポリシリコン ,  *ドーピング ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CCD ,  implant ,  poly-silicon dope ,  uniformity

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： CCD ,  多結晶 ,  イオン注入 ,  ドーピング ,  研究