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J-GLOBAL ID：201702255936223779   整理番号：17A0474650

InAlSbにおけるエネルギーギャップの組成および温度依存性の経験的表現【Powered by NICT】

Empirical expression for the composition and temperature dependence of the energy gap in InAlSb

著者 (3件)： Chen Gang (Luoyang Optoelectro Technology Development Center, P.O. Box 030, 471009 Luoyang, Henan, PR China) ,  Sun Weiguo (Luoyang Optoelectro Technology Development Center, P.O. Box 030, 471009 Luoyang, Henan, PR China) ,  Lv Yanqiu (Luoyang Optoelectro Technology Development Center, P.O. Box 030, 471009 Luoyang, Henan, PR China)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 81  ページ： 262-265  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_1-xAl_ xSbx合金組成x及び温度の関数としてのエネルギーバンドギャップに対する経験式を報告した。In_1-xAl_ Sbエピタキシャル層を,InSb(100)基板上に分子ビームエピタクシー(MBE)により成長させた,p~+-p~+n-n~+構造を用いた。高分解能X線回折を用いて,エピタキシャル層を特性化した。2.8%のAl組成はBraggの式,Vegard則を仮定することによって得られた。ダイオードのスペクトル応答の測定から,77Kと260Kの間の範囲でIn_1-xAl_ xSbx合金のバンドギャップの温度依存性を調べた。InAlSbのエネルギーギャップの計算結果は利用可能なデータと著者らの実験観察と良く一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ダイオード ,  キャラクタリゼーション ,  アンチモン化インジウム ,  *アルミニウム ,  バンドギャップ ,  合金 ,  MBE成長 ,  *エネルギーギャップ ,  実験式 ,  *温度依存性
準シソーラス用語： スペクトル応答 ,  Vegard則 ,  高分解能X線回折 ,  エピタキシャル層 ,  合金組成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： エネルギーギャップ ,  In_1 xAl_xSb ,  分子ビームエピタクシー ,  Moss-Burstein効果

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAlSb ,  エネルギーギャップ ,  組成 ,  温度依存性 ,  経験 ,  表現