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J-GLOBAL ID：201702255952642956   整理番号：17A0442165

ジグザググラフェンナノリボンの輸送特性に及ぼす破れ鉛直歪誘起対称性の効果【Powered by NICT】

Effect of vertical-strain-induced symmetry breaking on transport properties of zigzag graphene nanoribbons

著者 (6件)： Zou Dongqing (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, People’s Republic of China) ,  Zhao Wenkai (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, People’s Republic of China) ,  Fang Changfeng (Department of Physics, Jining University, Qufu 273155, People’s Republic of China) ,  Cui Bin (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, People’s Republic of China) ,  Liu Desheng (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, People’s Republic of China) ,  Liu Desheng (Department of Physics, Jining University, Qufu 273155, People’s Republic of China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 670  ページ： 52-57  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非平衡Green関数と組み合わせた密度汎関数理論を用いて,垂直歪の下にあるジグザグなグラフェンナノリボン(ZGNR)の輸送特性を調べた。著者らの計算は,垂直歪によって誘起された局在状態は零バイアスで系の電子輸送を阻害することを示したが,非零バイアスで,ZGNRは二端の間の中央面に関して対称であれば局在状態は,電子輸送挙動を向上させることができる。これは局在状態は電流抑制を打破する非対称性電子密度分布を生成するためである。これらの知見は,歪誘起ZGNRを基にした分子デバイスの応用に有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非対称性 ,  バイアス ,  *対称性 ,  *折れ線 ,  分子素子 ,  電流 ,  密度汎関数法 ,  局在状態
準シソーラス用語： 電子密度分布 ,  電子輸送 ,  *グラフェンナノリボン ,  非平衡Green関数 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (7件)： ジグザグ ,  グラフェンナノリボン ,  輸送特性 ,  鉛直 ,  歪 ,  誘起 ,  対称性