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J-GLOBAL ID：201702256016575700   整理番号：17A0381633

高温のためのその場調製した同期自己補償膜歪ゲージ【Powered by NICT】

An in-situ prepared synchronous self-compensated film strain gage for high temperature

著者 (4件)： Yang Shenyong (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication Department of Microelectronics and Nanoscience, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, PR China) ,  Zhang Congchun (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication Department of Microelectronics and Nanoscience, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, PR China) ,  Wang Hong (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication Department of Microelectronics and Nanoscience, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, PR China) ,  Ding Guifu (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication Department of Microelectronics and Nanoscience, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, PR China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 1021-1024  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温での成分の歪は通常成分上に作製した薄膜ひずみゲージにより測定した。しかし,基板とひずみゲージ膜間の熱膨張係数不整合に起因する温度効果は通常,金属膜のひずみゲージの測定誤差を誘導する。本論文では,その場調製したPdCrひずみゲージのための新しい温度補償法を報告した。同じレイアウトを持つ基質と密着し懸濁PdCr膜とPdCr膜を堆積し,その中で懸濁したPdCr膜はPdCr膜の温度補償システムのために用いた。基板に付着した懸濁PdCr膜とPdCr薄膜の抵抗の温度係数(TCR)は380~°Cまで測定した。PdCr膜のゲージ率Kを種々の温度に対して計算した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱膨張係数 ,  測定誤差 ,  *高温 ,  *ゲージ ,  不整合 ,  温度補償 ,  *歪計 ,  温度依存性 ,  基質 ,  薄膜 ,  金属薄膜
準シソーラス用語： 抵抗温度係数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 調製 ,  自己 ,  補償 ,  歪ゲージ