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J-GLOBAL ID：201702256049903972   整理番号：17A0591598

単一接合p-i-n InGaP太陽電池の特性に及ぼす成長温度の影響

Influence of Growth Temperature on the Characteristics of Single-Junction p-i-n InGaP Solar Cells

著者 (12件)： JUNG Sang Hyun (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR) ,  JUNG Sang Hyun (Ajou Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Youngjo (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR) ,  KIM Chang Zoo (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR) ,  JUN Dong-Hwan (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR) ,  KIM Kangho (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR) ,  KIM Kangho (Ajou Univ., Suwon, KOR) ,  SHIN Hyun-Beom (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR) ,  CHOI JeHyuk (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR) ,  PARK Won-Kyu (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR) ,  LEE Jaejin (Ajou Univ., Suwon, KOR) ,  KANG Ho Kwan (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 4  ページ： 2559-2562  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一接合p-i-n InGaP太陽電池を低圧有機金属化学気相成長法(MOCVD)によりp型GaAs(001)基板上に様々な温度(620~700°C)で成長させた。成長温度を700°Cから620°Cへ下げると,太陽電池の短絡電流密度(J_SC)が最高38.8%上昇したが,開放電圧と曲線因子の変化は比較的小さかった。J_SCの上昇は500nm以下の風車における外部量子効率の上昇に起因した。640°Cで成長させた太陽電池の最高パワー変換効率は11.01%,J_SCは9.74mA/cm²,曲線因子は0.84,開放電圧は1.34Vであった。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  PIN接合 ,  *太陽電池 ,  温度依存性 ,  温度 ,  *MOCVD ,  電流密度 ,  電圧 ,  パラメータ ,  効率 ,  電気特性 ,  *量子効率 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： パワー変換効率 ,  開放電圧 ,  *外部量子効率 ,  曲線因子 ,  成長温度 ,  短絡電流密度 ,  電流密度-電圧特性

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaP ,  太陽電池 ,  成長温度