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J-GLOBAL ID：201702256262991296   整理番号：17A0750128

TIDLSによる高品質c-Si材料中のバルク欠陥の解明【Powered by NICT】

Unraveling bulk defects in high-quality c-Si material via TIDLS

著者 (6件)： Bernardini Simone (Arizona State University, Tempe, AZ, 85281, USA) ,  Naerland Tine U. (Arizona State University, Tempe, AZ, 85281, USA) ,  Blum Adrienne L. (Sinton Instruments, Boulder, CO, 80301, USA) ,  Coletti Gianluca (Energy Research Centre of the Netherlands, Petten, 1755 LE, The Netherlands) ,  Coletti Gianluca (The University of New South Wales, Sydney, 2052, NSW, Australia) ,  Bertoni Mariana I. (Arizona State University, Tempe, AZ, 85281, USA)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 25  号： 3  ページ： 209-217  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質単結晶シリコン基板に向かってシリコン太陽電池における現在のトレンドは,太陽電池の最終性能を制限する再結合機構の理解への新しい挑戦を設定した。温度・電気的に活性な欠陥の濃度は,最も良く知られた特性化技術の感度よりも十分下であるが注入依存寿命測定(TIDLS)は10ms以上の寿命を持つ高品質材料の研究のための有望な方法であることが示されている。特に,Shockley-Read-Hall寿命再結合モデルと結合したとき,TIDLSはそれらのエネルギー準位と濃度を含む最も重要な欠陥のパラメータを与えることができる。本論文では,高品質のシリコン材料では,表面再結合速度(SRV)温度および注入依存性の徹底的な評価はバルクに含まれる欠陥の正確な同定に重要であることを示した。欠陥パラメータ輪郭マッピングと呼ばれる,TIDLSデータの解析のための新しい方法論を初めて紹介した。a-Si:H(i)またはa-Si:H(i)/a-Si:H(n)スタックで不動態化した高品質のn型フロートゾーンSi試料に適用することにより,著者らは他のキャラクタリゼーション技術これまでにより達成濃度の範囲の高い寿命材料中の欠陥の存在を主張することができた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *ケイ素 ,  不動態化 ,  結合モデル ,  太陽電池 ,  エネルギー準位 ,  単結晶 ,  再結合
準シソーラス用語： 表面再結合速度 ,  シリコン太陽電池 ,  シリコンウエハ ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 欠陥 ,  シリコン ,  特性化 ,  不動態化 ,  非晶質シリコン ,  光コンダクタンス ,  欠陥パラメータは輪郭マッピング ,  DPCM

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高品質 ,  Si ,  バルク ,  欠陥