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J-GLOBAL ID:201702256279521333   整理番号:17A0077688

炭化ケイ素直接結合に及ぼす表面処理の影響に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Research on Effect of Surface Treatment on SiC Direct Bonding
著者 (7件):
資料名:
号:ページ: 12-14,39  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2449A  ISSN: 1002-1841  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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SICの直接結合は高温環境に応用されるMEMSデバイスに対して非常に重要な応用価値があるが、ウエハの表面処理はSICの直接結合に影響する重要な要素である。改良した湿式洗浄法とプラズマ処理を用いて,ウエハ表面を処理した。その結果,直接結合の清浄度と粗さが得られた。最後に,ホットプレス法を用いてSICの直接結合を実現し,そして,その熱伝導率は14.47MPAであると推定した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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