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J-GLOBAL ID：201702256321869593   整理番号：17A0885716

バルクトラップ電荷を持つ固有チャネルMOSFETのしきい値電圧の解析モデル【Powered by NICT】

An Analytical Model for the Threshold Voltage of Intrinsic Channel MOSFET Having Bulk Trap Charges

著者 (4件)： Jo Hyunwoo (School of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Choi Seongwook (School of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Rhee Sungman (School of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Park Young June (School of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 2113-2120  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固有チャネルMOSFETにおけるバルクトラップ電荷誘起しきい値電圧変動の解析モデルを提示した。ゲート電荷,バルク電荷によって誘起されるを消すのに必要なゲート電圧,フラットバンド電圧の新しい定義を導入した。バルク電荷シート近似に基づく新しく定義されたフラットバンド電圧により,解析的MOS方程式を固有チャネルナノワイヤとプレーナMOSFETの双方に対して求めている。解析モデルはデバイス特性をかなり良く予測し,数値デバイスシミュレーションと比較したことを示した。電荷シート近似により誘起される誤差を点電荷と比較して,数値シミュレーションを使用することである。モデルは固有のpoly-Siのしきい値電圧変動,最近の3D NANDフラッシュメモリセルトランジスタによる採用を予測するために有用であろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *モデル ,  *解析モデル ,  三次元 ,  近似法 ,  *チャネル ,  点電荷 ,  *電荷 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  デバイスシミュレーション ,  デバイス特性 ,  フラットバンド電圧 ,  ゲート電圧 ,  *閾値電圧 ,  *捕獲電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： バルク ,  トラップ電荷 ,  固有 ,  チャネル ,  MOSFET ,  しきい値電圧 ,  解析モデル