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J-GLOBAL ID：201702256337392523   整理番号：17A0204228

二重結合と段階焼なましプロセスを用いたMo基板上に極端に階層的多孔質構造熱安定GaNテンプレートの作製【Powered by NICT】

Fabrication of extremely thermal-stable GaN template on Mo substrate using double bonding and step annealing process

著者 (5件)： Wang Qing (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University) ,  Liu Yang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University) ,  Sun Yongjian (College of Engineering, Peking University) ,  Tong Yuzhen (Sino Nitride Semiconductor Ltd.) ,  Zhang Guoyi (Sino Nitride Semiconductor Ltd.)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 8  ページ： 083001-1-083001-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重結合と段階アニーリングプロセスから成る新しい層移動技術を用いてMo基板にサファイア基板からGaNエピ層を移動することであった。熱安定結合媒体の応用と組み合わせて,得られた二インチ直径のGaNテンプレートは高い温度と低い応力状態下での非常に良好な安定性を示した。,亀裂とタマキビガイが観察された。移動したGaNテンプレートは均一エピタキシャルに適した,垂直LEDチップと電力電子デバイスの直接作製に用いることができた。熱安定結合層を伴う2重結合と段階アニーリング法は,接合強度及び応力緩和を有意に改善し,最終的に転写したGaNテンプレートの熱安定性を向上できることを確認した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱安定性 ,  *モリブデン ,  シミュレーテッドアニーリング ,  *焼なまし ,  エピタクシー ,  付着強さ ,  *窒化ガリウム ,  電力 ,  応力緩和 ,  *二重結合
準シソーラス用語： 電子素子 ,  応力状態 ,  エピタキシャル層 ,  サファイア基板 ,  *多孔構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 窒化ガリウム ,  Mo基板 ,  中結合 ,  レーザリフトオフ ,  熱安定性 ,  均一エピタキシャル

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 二重結合 ,  段階 ,  焼なまし ,  プロセス ,  MO基板 ,  多孔質構造 ,  GaN ,  テンプレート ,  作製