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J-GLOBAL ID：201702256701972224   整理番号：17A0363809

金属前駆体の硫化によるCu_2FeSnS_4薄膜の成長機構の研究【Powered by NICT】

Investigate the growth mechanism of Cu₂FeSnS₄ thin films by sulfurization of metallic precursor

著者 (6件)： Meng Xiankuan (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Deng Hongmei (Laboratory for Microstructures, Shanghai University, 99 Shangda Rd, Shanghai 200444, China) ,  Zhang Qiao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Sun Lin (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Yang Pingxiong (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Chu Junhao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 186  ページ： 138-141  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2FeSnS_4(CFTS)薄膜を硫化を用いたスパッタリング金属前駆体法により,ガラス基板上に作製した。種々の保持時間を用いて,CFTSの成長機構をX線回折とRamanパターンによって決定した。三段階が関与した,二元相CuS_x,FeS_xとSnS_xは予備的段階で合成し,その後,CuS_xはFeS_xと反応して三元化合物CuFeS_2を生成した。最後に,目的生成物CFTSは硫化の増加保持時間で得られた。すべての薄膜は滑らかで密接に充填された表面を有しており,より長い保持時間は粒成長に有利である。これらの薄膜の厚さは約1μmであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *硫化 ,  *薄膜 ,  保持時間 ,  X線回折 ,  スパッタリング ,  結晶成長 ,  *前駆体
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  *成長メカニズム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu_2FeSnS_4 ,  スパッタリング ,  薄膜 ,  硫化

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 前駆体 ,  硫化 ,  薄膜 ,  成長 ,  研究