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J-GLOBAL ID：201702256967308235   整理番号：17A0661463

電荷捕獲と活性チャネル層のためのブラックリン2Dナノシートに基づく不揮発性電荷注入メモリ【Powered by NICT】

Nonvolatile Charge Injection Memory Based on Black Phosphorous 2D Nanosheets for Charge Trapping and Active Channel Layers

著者 (10件)： Lee Young Tack (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Silicon Semiconductor Institute, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea) ,  Lee Junyeong (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, 03722, South Korea) ,  Ju Hyunsu (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Silicon Semiconductor Institute, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea) ,  Lim Jung Ah (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Silicon Semiconductor Institute, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea) ,  Yi Yeonjin (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, 03722, South Korea) ,  Choi Won Kook (Materials and Life Science Research Division, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea) ,  Choi Won Kook (Department of Nanomaterials and Nano Science, Korea University of Science and Technology (KUST), Daejeon, 34113, South Korea) ,  Hwang Do Kyung (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Silicon Semiconductor Institute, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea) ,  Hwang Do Kyung (Department of Nanomaterials and Nano Science, Korea University of Science and Technology (KUST), Daejeon, 34113, South Korea) ,  Im Seongil (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, 03722, South Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 31  ページ： 5701-5707  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元van der Waals原子結晶材料は,層の厚さや数に応じて調整可能なエネルギーバンドギャップのようなユニークな特性のため,将来のナノスケール電子およびオプトエレクトロニクス応用での使用に大きな可能性を持っている。最近,黒リン(BP)は大きな関心を集めている,グラフェンのような単一成分材料であり,高移動度,直接バンドギャップを持ち,両極性転移挙動を示すからである。本研究では,ガラス基板上に電荷注入メモリ電界効果トランジスタについて報告し,数層BPは活性チャネルと電荷捕獲層として作用し,原子層蒸着により成長させたAl_2O_3膜は,トンネリングとブロッキング層として作用する。BPナノシートの両極性特性のために,電子と正孔は電荷トラッピング過程に関与し,22Vの大きなメモリウィンドウを伴った両側しきい値電圧シフトが得られる。最後に,抵抗負荷インバータの記憶回路はアナログ信号(電流)に変換するディジタル信号(電圧)に実装した。このような記憶インバータも明確なメモリウィンドウおよび異なった記憶オン/オフスイッチング特性を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  正孔 ,  黒リン ,  *キャリア注入 ,  バンドギャップ ,  *チャネル ,  電圧 ,  トンネル効果 ,  グラフェン ,  *記憶装置 ,  電流 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 閾値電圧シフト ,  両極性 ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 2Dナノシートトランジスタ ,  ブラックりん(BP) ,  電荷注入/トラッピング ,  不揮発性メモリ

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電荷捕獲 ,  活性 ,  チャネル層 ,  2D ,  ナノシート ,  不揮発性 ,  電荷注入