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J-GLOBAL ID：201702257433132933   整理番号：17A0237398

グラファイト-Nの生成機構: 酸化グラフェンの酸素還元と窒素ドーピング

Formation Mechanisms of Graphitic-N: Oxygen Reduction and Nitrogen Doping of Graphene Oxides

著者 (5件)： WANG Wei-Wei (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  WANG Wei-Wei (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  DANG Jing-Shuang (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  ZHAO Xiang (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  NAGASE Shigeru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 10  ページ： 5673-5681  発行年： 2016年03月17日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンモニア分子の存在下で,GOの酸素還元と窒素ドーピングを研究した。無欠陥の酸化グラフェン(GO-1)のばあいには,脱エポキシ化をN-H分解により達成したが,その後の窒素ドーピングはエネルギー的に不適当であった。また,単一空孔をもつ欠陥性酸化グラフェンを模型化して,グラファイト-Nの形成機構を明らかにした。脱カルボニル化および窒素ドーピングに対して3つの異なる反応経路を見出した。NH₃からのグラファイト-Nおよびカルボニル基をもつ欠陥性グラフェンの形成は,高温で可能である。また,2つのヒドロキシル基(GO-3,GO-4)をもつ欠陥性GOとNH₃の反応を議論した。NH₃分子は炭素表面の代わりにヒドロキシル基との吸着を優先することを,計算結果は示した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  グラフェン ,  酸化物 ,  還元 ,  ドーピング ,  窒素 ,  酸素 ,  アンモニア ,  ヒドロキシ基 ,  カルボニル基
準シソーラス用語： ヒドロキシル基 ,  *酸化グラフェン ,  *酸素還元 ,  *窒素ドーピング

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラファイト ,  酸化グラフェン ,  酸素還元 ,  窒素ドーピング