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J-GLOBAL ID：201702257856937050   整理番号：17A0521916

あまり良くテクスチャーされていないフレキシブル被覆導体テンプレート上で製作された高性能FeSe_0.5Te_0.5薄膜

High-performance FeSe_0.5Te_0.5 thin films fabricated on less-well-textured flexible coated conductor templates

著者 (6件)： XU Zhongtang (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YUAN Pusheng (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YUAN Pusheng (Univ. Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  MA Yanwei (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  MA Yanwei (Univ. Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CAI Chuanbing (Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 30  号： 3  ページ： 035003,1-6  発行年： 2017年03月08日 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,筆者らはパルスレーザ蒸着(PLD)によるc軸方向FeSe_0.5Te_0.5(FST)被覆導体を製作し,それらの輸送特性を調べた。AFM測定はアイランド的特徴がLaMnO₃(LMO)とFSTの両方の表面に現れた。XRD測定により,(001)[100]FST//(001)[100]LMOの関係を有するエピタキシャル成長が達成された。一方,XRD測定はまた,FST薄膜がΔφ_FST~7.78°を有するあまり良くテクスチャーされていないイオンビーム支援蒸着(IBAD)-LMOバッファの金属テープ上で成功裏に製作された。それはコスト削減に非常に望ましいことである。これらの薄膜は4.2Kで9Tまでの全印加磁場範囲で10⁵Acm^-2にわたる臨界電流密度(J_c)を示す。J_cの弱い磁場依存性はFSTを高磁場適用に対し魅力的な候補にする。

シソーラス用語： 導体 ,  セレン化物 ,  テルル化物 ,  鉄化合物 ,  マンガン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  *薄膜 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *高温超伝導体 ,  マンガン酸ランタン ,  被覆導体
準シソーラス用語： PLD【蒸着】

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 被覆導体 ,  テンプレート ,  製作 ,  高性能 ,  薄膜