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J-GLOBAL ID：201702258117008111   整理番号：17A0399651

成長高完全性Cl補償CdTeの方法としての段階的冷却技術【Powered by NICT】

Stepwise cooling technique as a method of growing high-perfection Cl-compensated CdTe

著者 (4件)： Pavlyuk M.D. (A.V. Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Leninskii pr. 59, Moscow 119333, Russia) ,  Subbotin I.A. (National Research Centre “Kurchatov Institute”, Akademika Kurchatova pl., 1, Moscow 123182, Russia) ,  Kanevsky V.M. (A.V. Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Leninskii pr. 59, Moscow 119333, Russia) ,  Artemov V.V. (A.V. Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Leninskii pr. 59, Moscow 119333, Russia)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 112-116  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cl補償CdTeの高完全性結晶は正しいCdTe相図に対する考慮した開発段階的結晶冷却のスケジュールを用いたObreimov Shubnikov法により成長させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *塩素 ,  状態図 ,  *テルル化カドミウム ,  *完全性 ,  結晶

著者キーワード (4件)： A1の結晶構造 ,  A2融液からの成長 ,  A2単結晶成長 ,  B2半導性II-VI材料

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  完全性 ,  Cl ,  補償 ,  CdTe ,  段階 ,  冷却技術