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J-GLOBAL ID：201702258259213934   整理番号：17A0403423

スケーラブルなプラズマ表面処理によるTiN析出と形態制御【Powered by NICT】

TiN deposition and morphology control by scalable plasma-assisted surface treatments

著者 (5件)： Baranov Oleg (Plasma Laboratory, National Aerospace University “KhAI”, Kharkov, 61070, Ukraine) ,  Fang Jinghua (School of Mathematical and Physical Sciences, Faculty of Science, The University of Technology, Sydney, NSW 2000, Australia) ,  Ostrikov Kostya (Ken) (Institute for Future Environments, School of Chemistry, Physics and Mechanical Engineering, Queensland University of Technology, Brisbane, QLD 4000, Australia) ,  Ostrikov Kostya (Ken) (CSIRO-QUT Joint Sustainable Materials and Devices Laboratory, Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation, P.O. Box 218, Lindfield, NSW 2070, Australia) ,  Cvelbar Uros (Jozef Stefan Institute, Jamova cesta 39, SI-1000, Ljubljana, Slovenia)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 188  ページ： 143-153  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 意図的形状磁場によるイオンフラックスを制御することによりTiN薄膜の機械的性質と形態を修正するための方法は,大きな(直径400mmまで)基板上のTiNのプラズマ増強蒸着の有効性を高めるために開発した。この目的のために,プラズマ制御の二つの主要な方式を検討した。基板はプラズマを生成する回路の一部であるとき,TiNは磁場のマグネトロン様アーク配置で堆積した。この構成を用いて,基板の洗浄,エッチング,および加熱のためのイオンフラックスを制御することであると,最終的に,堆積物の機械的性質と形態を制御した。外部プラズマ源のプラズマに基板をさらすと,プラズマ源と基板表面近傍の鏡を用いたボトル配置の磁気トラップを作成した。外部プラズマ源からのイオンフラックスは制御磁気コイルの位置と電力供給,表面への窒素とTiイオンを直接によって制御できることを示した。提案した方法は一般的であり,を含むBN,NbN,W_2NとTaNに限定されるだけでなく種々の窒化物材料を制御するために使用することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スパッタリング ,  電力供給 ,  アーク放電 ,  窒素 ,  窒化物 ,  磁気トラップ ,  *チタン ,  磁気 ,  マグネトロン ,  *形状制御 ,  イオン ,  プラズマ源 ,  *プラズマ
準シソーラス用語： イオンフラックス ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  物理蒸着(PVD) ,  スパッタリング ,  アーク放電

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  表面処理 ,  TiN ,  析出 ,  形態制御