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J-GLOBAL ID：201702258475109915   整理番号：17A0118627

CVDグラフェンの移動自由プロセスにより実現した高感度ガスセンサ【Powered by NICT】

High sensitive gas sensors realized by a transfer-free process of CVD graphene

著者 (6件)： Ricciardella F. (Delft University of Technology, Department of Microelectronics, Delft, The Netherlands) ,  Vollebregt S. (Delft University of Technology, Department of Microelectronics, Delft, The Netherlands) ,  Polichetti T. (ENEA UTTP-MDB, Portici (Naples), Italy) ,  Alfano B. (ENEA UTTP-MDB, Portici (Naples), Italy) ,  Massera E. (ENEA UTTP-MDB, Portici (Naples), Italy) ,  Sarro P. M. (Delft University of Technology, Department of Microelectronics, Delft, The Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここで示した研究は,グラフェンを調製するための革新的な方法を用いて実現グラフェンベースガスセンサの挙動を調べた。センシング層を予めパターン化したCMOS互換Mo触媒上に化学蒸着により直接成長させた,それは完全に輸送のないプロセスを介してSiO_2に緩和された。異なる形状を持つデバイスは,環境条件,すなわち室温と相対湿度50%に設定におけるNO_2とNH_3に向けて設計し,試験した。さらに,これらガスセンサも較正したNO_2とNH3の240ppbと17ppmまでの濃度を検出する能力がそれぞれもたらされた。これらの結果は,グラフェンベースセンサのための文献で報告された最良の性能と一致した。輸送のないアプローチを介して成功裏のデバイス作製を確認するだけでなく,MEMS/NEMSセンサの大規模生産のための経路を開く。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *センサ ,  モリブデン ,  *高感度 ,  触媒 ,  相対湿度 ,  *ガスセンサ ,  MEMS ,  パターン形成 ,  化学蒸着 ,  *グラフェン ,  CMOS
準シソーラス用語： NEMS ,  環境条件 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD ,  グラフェン ,  プロセス ,  高感度 ,  ガスセンサ