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J-GLOBAL ID：201702258552641452   整理番号：17A0664905

高密度一酸化けい素から調製した多孔質シリコンの形成機構【Powered by NICT】

The formation mechanisms of porous silicon prepared from dense silicon monoxide

著者 (7件)： Zeng Shao-zhong (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen Engineering Laboratory for Advance Technology of Ceramics, College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, PR China. [e-mail]) ,  Zeng Xierong ,  Huang Lin ,  Wu Hongliang ,  Yao Yuechao ,  Zheng Xianfeng ,  Zou Jizhao
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 13  ページ： 7990-7995  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質シリコン(PSi)は多くの用途で使用する広く研究されている。PSiは通常,シリコンの選択的エッチングにより調製した。はマグネシウムを有するち密な一酸化けい素(SiO)を還元することにより調製した。気孔率はMgOの選択的酸溶解の結果であることが確認されているが,MgOとPSiの複合材料の形成機構は非常に明らかではない。形成機構をより良く理解するために,著者らは種々のマグネシウム含有量を持つコンパクトなSiOと不均化SiO(d SiO)を減少させることにより二種類のPSiを合成した。これらPSi試料のBET表面積と細孔容積は最初に増加し,その後減少した。最高BET表面積はSiOとD SiOから調製したPSiの304mと328m~2g~( 1)であった。これらのBET表面積は高密度SiOまたはシリカから調製したPSiの中で最高であった。d SiOで予め形成されたシリコンネットワークの誘導効果はSiOとD SiOから誘導した二種類のPSiの細孔特性を対比することによって見出した。,SiOとD SiOからPSiの形成機構に対する二つのモデルを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 複合材料 ,  二酸化ケイ素 ,  空隙率 ,  *酸化ケイ素 ,  不均化 ,  *ケイ素 ,  細孔 ,  酸化マグネシウム ,  エッチング ,  *多孔質シリコン ,  マグネシウム
準シソーラス用語： 細孔容積 ,  BET表面積 ,  *形成機構 ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 分析機器  (CC02020S) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  光化学反応  (CB08020F) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 一酸化けい素 ,  調製 ,  多孔質シリコン