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J-GLOBAL ID：201702258574192665   整理番号：17A0400962

太陽電池のための熱蒸発により作製したCu_2ZnSnSe_4薄膜の形態と組成に及ぼす焼なましの影響【Powered by NICT】

Effect of annealing on the morphology and compositions of Cu₂ZnSnSe₄ thin films fabricated by thermal evaporation for solar cells

著者 (5件)： Nakashima Mitsuki (National Institute of Technology, Wakayama College, Gobo, Wakayama 644-0023, Japan) ,  Yamaguchi Toshiyuki (National Institute of Technology, Wakayama College, Gobo, Wakayama 644-0023, Japan) ,  Yukawa Shohei (National Institute of Technology, Wakayama College, Gobo, Wakayama 644-0023, Japan) ,  Sasano Junji (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Izaki Masanobu (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 621  ページ： 47-51  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光起電素子のためのCu_2ZnSnSe_4薄膜を合成しCu_2ZnSnSe_4インゴットとNa_2Se粉末から一段階熱蒸発プロセスにより作製した。得られたX線回折パターンは,全ての研究した試料におけるCu_2ZnSnSe_4とSnSe相の存在を明らかにした。が,第二相は混合Sn/Se雰囲気下で30分間500°Cでの試料のアニーリング後に消失した。走査電子顕微鏡観察の結果によると,作製した薄膜の結晶粒サイズはアニーリングにより増加したが,一段階蒸発法により作製した太陽電池の最良の性能は,240mVの開回路電圧,短絡電流27.6mA~2の0.41の曲線因子,および2.76%の効率に対応した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光起電素子 ,  第二相 ,  *蒸発 ,  結晶粒径 ,  インゴット ,  *スズ ,  *薄膜 ,  *セレン ,  *焼なまし ,  短絡電流 ,  X線回折 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 曲線因子 ,  開回路電圧 ,  走査電子顕微鏡法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 薄膜太陽電池 ,  Cu_2ZnSnSe_4 ,  熱蒸発

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽電池 ,  蒸発 ,  作製 ,  薄膜 ,  形態 ,  組成 ,  焼なまし