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J-GLOBAL ID：201702258761964931   整理番号：17A0666055

GaN-on-SiH EMTのに関連した破壊:装置幾何学と不動態化に対する依存性【Powered by NICT】

Field-Related Failure of GaN-on-Si HEMTs: Dependence on Device Geometry and Passivation

著者 (9件)： Rossetto I. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy) ,  Meneghini M. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy) ,  Pandey S. (NXP Semiconductors, BL PowerMOS, Stockport, SK7 5BJ, U.K.) ,  Gajda M. (NXP Semiconductors, BL PowerMOS, Stockport, SK7 5BJ, U.K.) ,  Hurkx G. A. M. (NXP Semiconductors, Eindhoven, AE, The Netherlands.) ,  Croon J. A. (NXP Semiconductors, Eindhoven, AE, The Netherlands.) ,  Sonsky J. (NXP Semiconductors, Leuven, Belgium) ,  Meneghesso G. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy) ,  Zanoni E. (Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 1  ページ： 73-77  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高電圧応力を印加したGaN系SchottkyゲートH EMTの絶縁破壊の広範な解析について報告した。解析は異なる長さドレイン側ゲート端(L_GH)のトランジスタで実施した,SiN不動態化を横切る電場の異なるレベルに対応した。dc測定,2次元シミュレーション,および光学的解析に基づいて,次のオリジナルな結果を示す1)高ドレイン電圧(OFF状態で)を適用した場合,トランジスタは壊滅的な破壊を示すことができる2)エレクトロルミネセンス顕微鏡はゲートのドレイン側にホットスポットの存在を示している二次元シミュレーションは破壊がゲート端の対応で起こり,ドレイン側エッジ,窒化けい素不動態化の電場はその最大値をもつにという仮説を支持する3)この仮説はゲート金属とチャネル,4)間の漏れ経路の生成を示す透過型電子顕微鏡故障解析の結果およびL_GH値の破壊電圧の依存性によって確認された。5)添加では,厚みの増加に伴う傾斜SiN不動態化を用いて,すなわち,デバイスの信頼性を改善するためのアプローチを提案し,実証した。本論文で記述した結果は,SchottkyゲートH EMTのデバイス最適化のための重要な情報を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,  二次元 ,  エレクトロルミネセンス ,  絶縁破壊 ,  チャネル ,  シミュレーション ,  *窒化ガリウム ,  信頼性 ,  トランジスタ ,  透過型電子顕微鏡 ,  ホットスポット ,  電場 ,  故障解析 ,  *不動態化
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  SIH ,  EMT ,  破壊 ,  幾何学 ,  不動態化 ,  依存性