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J-GLOBAL ID：201702258825738859   整理番号：17A0764955

INAS_XP_(1-X)/INPのルミネセンス特性に及ぼす格子不整合の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Lattice Mismatch Effect on Photoluminescence from InAs_xP_(1-x)/InP Heterostructuer

著者 (10件)： YAN Da-wei (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanism and Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  SONG Hang (Graduate School of the Chinese Academy of Sciences) ,  MAO Guo-qing (Graduate School of the Chinese Academy of Sciences) ,  YU Shu-zhen (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanism and Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  JIANG Hong (Graduate School of the Chinese Academy of Sciences) ,  LI Zhi-ming (Graduate School of the Chinese Academy of Sciences) ,  LIU Xia (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanism and Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  CAO Lian-zhen (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanism and Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  GUO Wan-guo (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanism and Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  SUN Xiao-juan (Graduate School of the Chinese Academy of Sciences)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 30  号： 3  ページ： 309-313  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 低電圧金属有機化学気相堆積(LP-MOCVD)技術を用いて、FEをドープした半絶縁INP基板上にINAS_(0.157)P_(0.843)エピタキシャル層を作製した。13~300Kの温度範囲でのINAS_(0.157)P_(0.843)エピタキシャル層のルミネセンス特性を,理論的解析と計算によって研究した。応力の下でのINAS_(0.157)P_(0.843)エピタキシャル層の軽重の分裂が発生し,応力と温度の間の関係を研究した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ルミネセンス ,  ドーピング ,  *格子不整合 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  エピタキシャル層 ,  半絶縁性 ,  低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InAs_xP_(1-x)/InP ,  LP-MOCVD ,  stress ,  variable-temperature photoluminescence

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  ルミネセンス ,  格子不整合 ,  研究