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J-GLOBAL ID：201702258931213509   整理番号：17A0825936

その場O_3治療によるAl_2O_3/HfO_2スタックを用いた高移動度高Ge含有SiGe PMOSFET【Powered by NICT】

High Mobility High-Ge-Content SiGe PMOSFETs Using Al₂O₃/HfO₂ Stacks With In-Situ O₃ Treatment

著者 (10件)： Ando Takashi (T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Hashemi Pouya (T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Bruley John (T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Rozen John (T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Ogawa Yohei (ULVAC, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Koswatta Siyuranga (T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Chan Kevin K. (T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Cartier Eduard A. (T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Mo Renee (T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Narayanan Vijay (T. J. Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 3  ページ： 303-305  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGeチャネルに及ぼす界面状態密度(D_it)及びゲート漏れ電流密度(J_g)減少のためのin-situ O_3処理Al_2O_3/HfO_2二層ゲート誘電体を開発した。Ge含量依存等価酸化膜厚(EOT)スケーリングと等価酸化膜厚(EOT)0.44nmがSi_0 0.05Ge_0 0.95基板をもつMOSキャパシタで達成された観察した。O_3処理は非平面素子構造への応用を可能にし,65%~70%のGe%の非対称歪SiGe PMOSFETのオフ電流(I_OFF)低い大きさ,サブスレッショルド勾配68mV/decade,及び1×10~13cm~ 2の反転キャリア密度(N_inv)で457cm~2V~ 1s~ 1の非常に高い正孔移動度の五桁を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *素子構造 ,  チャネル ,  キャリア密度 ,  非対称性 ,  ゲート絶縁膜 ,  正孔移動度 ,  サブ閾値 ,  等価酸化膜厚 ,  二層 ,  界面状態密度 ,  *高移動度
準シソーラス用語： オフ電流 ,  MOSコンデンサ ,  ゲート漏れ電流 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 治療 ,  スタック ,  高移動度 ,  Ge ,  SiGe ,  pMOSFET