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J-GLOBAL ID：201702259406052211   整理番号：17A0214147

モバイルSoC応用のための0.027μm~2高密度6T SRAMセルを用いた4~日発生FinFETトランジスタを特徴とする7nm CMOSプラットフォーム技術【Powered by NICT】

A 7nm CMOS platform technology featuring 4^th generation FinFET transistors with a 0.027um² high density 6-T SRAM cell for mobile SoC applications

著者 (32件)： Wu Shien-Yang (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Lin C.Y. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chiang M.C. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Liaw J.J. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Cheng J.Y. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Yang S.H. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Tsai C.H. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chen P.N. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Miyashita T. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chang C.H. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chang V.S. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Pan K.H. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chen J.H. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Mor Y.S. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Lai K.T. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Liang C.S. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chen H.F. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chang S.Y. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Lin C.J. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Hsieh C.H. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Tsui R.F. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Yao C.H. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chen C.C. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chen R. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Lee C.H. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Lin H.J. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chang C.W. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chen K.W. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Tsai M.H. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Chen K.S. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Ku Y. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ,  Jang S. M. (168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 2.6.1-2.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて,モバイルSoC応用のための前縁7nm CMOSプラットフォーム技術を紹介した。この技術は>3.3Xルートゲート密度と35%~40%の速度利得または16nm FinFET技術上の>65%の電力削減を提供する。0.027μm~2の最小高密度SRAMセルを用いた完全に機能的な256Mb SRAM試験チップは0.5Vまで実証した。4~世代FinFETトランジスタは,低消費電力と高性能設計要求を可能にするために25%~35%と多重Vtデバイスオプションによるデバイスミスマッチ低減して最適化した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  多重化 ,  利得 ,  *SRAM ,  最適化 ,  電力 ,  *携帯電話 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 低電力化 ,  *FinFET ,  *高密度 ,  *システムオンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (10件)： モバイル ,  SOC ,  応用 ,  高密度 ,  SRAM ,  セル ,  FinFET ,  トランジスタ ,  CMOS ,  プラットフォーム