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J-GLOBAL ID：201702259546839518   整理番号：17A0453564

化学蒸着による遷移金属上の成長中のh-BNの配向の制御【Powered by NICT】

Controlling the orientations of h-BN during growth on transition metals by chemical vapor deposition

著者 (5件)： Zhao Ruiqi (School of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University, Henan 454003, China) ,  Zhao Xiaolei ,  Liu Zhirong ,  Ding Feng ,  Liu Zhongfan
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 10  ページ： 3561-3567  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶窒化ホウ素(h BN)は多くの応用に非常に重要であり,高品質の大面積上のその合成が強く望まれている。h-BNを合成するための有望なアプローチは,遷移金属触媒上に化学蒸着,初期成長中のBNクラスタの配列はh-BN中の欠陥の型および量の両方を決定した。より良い触媒の探索において,著者らはh-BNクラスターと種々の金属表面間の相互作用を系統的に研究した。著者らの結果は,面心立方(FCC)金属の(111)ファセットまたは六方晶最密充填(HCP)金属の(0001)ファセットかどうか,ほぼ全ての触媒表面上のクラスタは反対方向での二つの局所最小を持つことを示さなかった。初期成長の間,h-BNクラスタは,エネルギーに有利なサイト,その登録はh-BNのエッジ原子と下地基板との間の強い相互作用のために更なる成長によく保存されているを採用した。FCC(111)について,h-BN分域は常に平行方向に整列しているが,HCP(0001)上のそれらは同じテラス上での並列と隣接テラス上の逆平行。本を超えて,IrとRhの(111)表面上の,B_hN_t構成であるB_fN_tよりもはるかに多くのエネルギー有利で,添字時間,t,fは吸着サイト,hcp,fccであった。,Ir(111)およびRh(111)は同じ配向させ,これが粒界の形成の可能性を減少させることによりh-BNの品質を大きく改善するとh-BN分域の成長を促進する可能性がある。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： イリジウム ,  ファセット ,  *化学蒸着 ,  ロジウム ,  六方晶系 ,  遷移金属触媒 ,  分域 ,  結晶粒界 ,  下地 ,  クラスタ
準シソーラス用語： 吸着サイト ,  最密充填 ,  金属表面 ,  大面積 ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学蒸着 ,  遷移金属 ,  成長 ,  h-BN ,  配向