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J-GLOBAL ID：201702259841401912   整理番号：17A0159375

SIとSIGEトランジスタのEARLY効果モデルと回路シミュレータにおける応用について総説する。【JST・京大機械翻訳】

Review on Early Effect Model of Si and SiGe Transistors and Applications to Circuit Simulators

著者 (6件)： Xu Xiaobo (Road Traffic Detection and Equipment Engineering Research Center,School of Electronic and Control Engineering,Chang’an University, National Key Lab.on ISN) ,  Zhang Lin (Road Traffic Detection and Equipment Engineering Research Center,School of Electronic and Control Engineering,Chang’an University) ,  Wang Xiaoyan (Road Traffic Detection and Equipment Engineering Research Center,School of Electronic and Control Engineering,Chang’an University) ,  Gu Wenping (Road Traffic Detection and Equipment Engineering Research Center,School of Electronic and Control Engineering,Chang’an University) ,  Hu Huiyong (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics,Xidian University) ,  Ge Jianhua (National Key Lab.on ISN,Xidian University)
資料名： Dianzi Xuebao  (Dianzi Xuebao)
巻： 44  号： 7  ページ： 1763-1771  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2504A  ISSN： 0372-2112  CODEN： TTHPAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： EARLY効果はバイポーラトランジスタのキー性能を表す要素の一つとして、出力相互コンダクタンス、伝送電流、基区渡越時間、電流ゲイン、拡散容量などのデバイス特性に影響を与える。本論文では、EARLY効果の基本定義から、EARLY電圧の起源、モデルの発展及びSIとSIGE回路シミュレータにおける応用について概説した。具体的には,(1)本論文では,SIトランジスタにおける基本的モデルとSPICEにおける処理プロセスについてレビューし,次に,SPICEの欠陥について,VBICモデルにおけるEARLY効果の改良について述べた。(2)SPICEとVBICはSIGE HBT中基区のGE成分を効果的に記述することができない。SIGE HBT標準化モデルモデル,,に基づくSIGE HBTのモデリング思想に基づき,本論文では,EARLYの電圧モデルを構築するための方法を要約した。(3)既存の主流モデルによるEARLY効果のモデリング方法と利点と欠点を要約した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  標準化 ,  モデリング ,  バイポーラトランジスタ ,  相互コンダクタンス ,  電圧 ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  電流利得 ,  *回路シミュレータ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Early effect ,  bipolar transistor ,  SPICE ,  integral charge control relation(ICCR)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  SiGe ,  トランジスタ ,  モデル ,  回路シミュレータ ,  応用 ,  総説