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J-GLOBAL ID：201702259940830182   整理番号：17A0258295

V,V/VおよびV/V-N薄膜の拡散障壁特性を,CU相互接続において研究した。【JST・京大機械翻訳】

Diffusion Barrier Performances of V,V-N and V/V-N Films in Cu Interconnection

著者 (6件)： Wang Cuiping (College of Materials,Xiamen University) ,  Dai Tuo (College of Materials,Xiamen University) ,  Lu Yong (College of Materials,Xiamen University) ,  Shi Zhan (College of Materials,Xiamen University) ,  Zhang Jinbin (College of Materials,Xiamen University) ,  Liu Xingjun (College of Materials,Xiamen University)
資料名： Xiamen Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban  (Xiamen Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban)
巻： 55  号： 6  ページ： 810-814  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1452A  ISSN： 0438-0479  CODEN： HMHHAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SI(100)基板上に厚さ50NMのV,V/V及びV/V-N拡散障壁をマグネトロンスパッタリングにより堆積し,300NMの厚さのCU薄膜を拡散障壁により成長させた。最終的に,CU/V/SI,,-/,およびCU/V/V-/の3つの多層膜を得た。薄膜を300~750°Cで1時間真空熱処理した後,X線回折(XRD),走査型電子顕微鏡(SEM),および4プローブ抵抗試験(FPP)を用いて,結晶構造,微細構造,およびシート抵抗を測定した。V,V/V及びV/V-N拡散障壁の拡散障壁特性を比較した。実験結果は以下を示す。V,V/VおよびV/V-N拡散障壁は,CU原子のSI基板への拡散を効果的に阻止することができた。CU/V/SIとCU/V-/薄膜は,それぞれ600°Cと650°Cで良好な熱安定性を維持した。CU/V/V-/多層膜中に堆積構造が存在するため、サンプルは700°Cで良好な熱安定性があり、スタック構造のV/V-Nは理想的な拡散障壁層であることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シート抵抗 ,  多層膜 ,  プローブ ,  *拡散障壁 ,  熱安定性 ,  結晶構造 ,  *相互接続 ,  堆積構造 ,  X線回折 ,  微細構造 ,  マグネトロンスパッタリング ,  走査電子顕微鏡 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 真空熱処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： diffusion barrier layer ,  barrier performance ,  stacking structure ,  magnetron sputtering

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  拡散障壁 ,  Cu ,  相互接続 ,  研究