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J-GLOBAL ID：201702260224244025   整理番号：17A0325938

溶液処理単層In_2O_3とアイソタイプIn_2O_3/ZnOヘテロ接合トランジスタの性能に及ぼす蒸着後アニーリングの影響【Powered by NICT】

The impact of post-deposition annealing on the performance of solution-processed single layer In₂O₃ and isotype In₂O₃/ZnO heterojunction transistors

著者 (5件)： Tetzner Kornelius (Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, London SW7 2BW, UK. [e-mail] [e-mail]) ,  Isakov Ivan ,  Regoutz Anna ,  Payne David J. ,  Anthopoulos Thomas D.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 1  ページ： 59-64  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理単層In_2O_3とアイソタイプIn_2O_3/ZnOヘテロ接合トランジスタの形態,化学状態と電気的性質に及ぼす蒸着後アニーリング温度の影響を調べた。材料堆積と焼なまし条件の慎重な最適化を通して,著者らは,単層In_2O_3デバイスと比較して,In_2O_3/ZnOヘテロ接合トランジスタの電子移動度最大値48cm~2V~ 1s~ 1で顕著な増強を実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  *ヘテロ接合 ,  *単一層 ,  *インジウム ,  *トランジスタ ,  電気的性質 ,  *蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  *焼なまし
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  アニーリング温度 ,  化学状態 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液処理 ,  単層 ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  トランジスタ ,  蒸着 ,  アニーリング