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J-GLOBAL ID：201702260578657161   整理番号：17A0705601

バンド構造の修飾と格子熱伝導率低減のためのCu_4Sn_7S_16における過剰Snの役割【Powered by NICT】

The role of excess Sn in Cu₄Sn₇S₁₆ for modification of the band structure and a reduction in lattice thermal conductivity

著者 (5件)： He Tongtong (Materials Science and Engineering College, Taiyuan University of Technology, Taiyuan, 030024, China. [e-mail]) ,  Lin Naiming ,  Du Zhengliang ,  Chao Yimin ,  Cui Jiaolin
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 17  ページ： 4206-4213  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,過剰Snの三元Cu_4Sn_7+xS_16(x=0 1.0)化合物のバンド構造を調べ,それらの熱電(TE)特性を調べた。第一原理計算は,Sn~2+として存在し,固有Cu空格子点に位置する優先的に,過剰SnがFermi準位(F_r)をunpinsとF_rはx=0~0.5での伝導帯(CB)に入ることを可能にすることを明らかにした。,x値が0から0.5まで増加するとき,Hallキャリア濃度(n_H)は約二桁増大した。一方,格子熱伝導率(κ_L)は893K,Callawayモデルを用いた推定と合理的に良く一致した0.39W K~ 1m~ 1に有意に減少した。結果として,化合物Cu_4Sn_7+xS_16x=0~0.5の性能指数(ZT)の無次元TE性能は863Kにおいて0.41に達した。この値は化学量論Cu_4Sn_7S_16のそれの2倍である,Cu_4Sn_7S_16における過剰SnがTE性能を改善するために有益であることを証明した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  化学量論 ,  *バンド構造 ,  伝導バンド ,  計算 ,  キャリア密度 ,  性能指数
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  *格子熱伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バンド構造 ,  修飾 ,  格子熱伝導率 ,  Sn ,  役割