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J-GLOBAL ID：201702260868360208   整理番号：17A0355597

P波セグメントの超高出力は50V GAN HEMTである。【JST・京大機械翻訳】

50 V Ultra High Power GaN HEMTs for P Band Application

著者 (9件)： Chen Tao (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Liu Zhu (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Wang Qi (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Gu Liming (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Jing Shaohong (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Yang Xing (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Li Zhonghui (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Peng Daqing (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Chen Tangsheng (Nanjing Electronic Devices Institute)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 36  号： 6  ページ： 439-441  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,0.5ΜMのプロセスでのワット GAN HEMTデバイスの応用について報告した。ALN層を採用することによって,高出力でのデバイスの漏れ電流を大幅に低減し,同時に,デバイスの出力密度を大幅に改善することができた。同時に,後部構造のバッファ層を最適化することによって,絶縁破壊電圧を改善し,それにより,器件抗/VSWR(VSWR)を5:1に増加させることができた。GAN HEMTデバイスの設計には二重二重構造を採用し、0.5ΜMの長技術を用いて作製した。デバイスの動作電圧は50Vであり,P波のピーク出力は1500Wであり,ドレイン効率は72%であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： VSWR ,  *HEMT ,  バッファ層 ,  二重構造 ,  最適化 ,  電圧 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  出力密度 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： GaN ,  microwave power transistor ,  field plate

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： P波 ,  セグメント ,  高出力 ,  GaN ,  HEMT