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J-GLOBAL ID：201702261174348133   整理番号：17A0535183

ダイヤモンド基板の酸化バナジウム薄膜の光電特性研究【JST・京大機械翻訳】

Optical and electrical properties of vanadium pentoxide films deposited on diamond substrates

著者 (3件)： Zhang Shengbin (Department of Mechanical and Electrical Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  Zuo Dunwen (Department of Mechanical and Electrical Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  Lu Wenzhuang (Department of Mechanical and Electrical Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 45  号： 12  ページ： 1221001-1-1221001-8  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて,自立単結晶ダイヤモンド上に酸化バナジウム薄膜を調製し,その構造と厚さ,表面形態,電気的および光学的性質を特性評価した。実験結果により,調製した薄膜の表面均一性は良好であり,単一成分のV_2O_5薄膜であり,(001)面には明らかな優先配向があり,膜の結晶度と表面形態は非常に良好であるV_2O_5薄膜の電気的性質は,3つの異なる厚さのV_2O_5薄膜の電気的性質を示し,膜厚が150NMのとき,膜の電気的性質の変化は異なる厚さの薄膜の光学的応答特性を測定し,高エネルギーレーザ照射により,膜の相転移と回復が起こり,膜の光学的スイッチング時間は,膜厚の増加とともに増加し,その中で回復時間の変化範囲は26~33MSであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *酸化バナジウム ,  膜厚 ,  優先配向 ,  *薄膜 ,  応答特性 ,  光交換 ,  結晶度 ,  レーザ照射 ,  *ダイヤモンド ,  電気的性質
準シソーラス用語： 回復時間 ,  表面形態 ,  単結晶ダイアモンド ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： V_2O_5 films ,  single-crystal diamond ,  electrical performance ,  optical properties

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイヤモンド基板 ,  酸化バナジウム ,  薄膜 ,  光電特性 ,  研究